سوالات فصل 3 : ترانزیستور اثر میدان FET
سوال 36 - در ترانزیستور JFET ولتاژ آستانه را تعریف کرده و بیان کنید پدیده ی شکست بهمنی چه هنگامی رخ می دهد؟
________________________________________________________________________________________
سوال 37 - چهار مورد از مزایای ترانزیستورهای FET نسبت به ترانزیستورهای BJT را نام ببرید.
________________________________________________________________________________________
سوال 38 - ولتاژ بحرانی و جریان اشباع درین سورس در ترانزیستور اثر میدان را تعریف کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 39 - چهار كاربرد ترانزيستور اثر ميدان را نام ببريد.
________________________________________________________________________________________
سوال 40- در مدارهای شکل زیر ترانزیستور JFET در چه ناحیه ای کار می کند؟ (با استفاده از روابط اثبات کنید)
________________________________________________________________________________________
سوال 41 - در يك ترانزيستور JFET با كانال N اگر |VP|=3 V باشد, ناحيه كار ترانزيستور را در هر كدام از حالت هاي زير تعيين كنيد.(همراه با رابطه)
________________________________________________________________________________________
سوال 42 - مدار باياس سرخود و مدار مقسم ولتاژ JFET كانال N را رسم كنيد و بنويسيد ولتاژ VGS در هر كدام از مدارهاي مذكور چگونه محاسبه مي گردد؟
________________________________________________________________________________________
سوال 43 - در مدارمقابل :
الف) اگر بخواهيم اين مدار به عنوان منبع جريان ثابت ID درمقابل تغييرات RL عمل كند چه شرطي بايد برقرار باشد؟
ب) كاربرد مدار چيست؟
________________________________________________________________________________________
سوال 44 - در مدار شکل زیر JFET در چه ناحیه ای کار می کند و مدار چه کاربردی دارد.
________________________________________________________________________________________
سوال 45 - منحنی مشخصه زیر مربوط به یک ترانزیستور اثر میدان می باشد :
الف) نام منحنی مشخصه چیست؟
ب) در این منحنی ناحیه هاشور خورده مربوط به کدام ناحیه کار ترانزیستور می باشد؟
ج) با توجه به منحنی، مقدار مقاومت درین – سورس در ناحیه هاشور خورده را بدست آورید.
________________________________________________________________________________________
سوال 46 - به سوالات زیر پاسخ دهید :
الف) در شکل زیر نقطه ی کار را بدست آورید.
ب) ترانزیستور در چه ناحیه ای کار می کند؟
________________________________________________________________________________________
سوال 47 - در شکل مقابل اگر IDSS=9mA و VP=3V باشد، مطلوبست :
الف) VDS , ID , VGS
ب) ناحیه کار ترانزیستور را مشخص کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 48 - با توجه به مدار داده شده :
الف) با محاسبه VDS , ID ، توان تلف شده در ترانزیستور را بدست آورید.
ب) ناحیه کار ترانزیستور را مشخص کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 49 - تفاوت ساختمان MOSFET تهی شونده و تشکیل شونده را بنویسید.
________________________________________________________________________________________
سوال 50 - انواع ترانزیستور MOSFET با کانال N را نام برده و شمای فنی آن را رسم کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 51 - علامت اختصاری MOSFET با کانال P تهی شونده و کانال N تشکیل شونده را رسم کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 52 - علامت اختصاری ترانزیستور DMOSFET با کانال N و P را رسم کنید و نام پایه های آن را روی شکل بنویسید.
________________________________________________________________________________________
سوال 53 - طریقه ی بایاس کردن EMOSFET با کانال N را بنویسید و علامت اختصاری EMOSFET با کانل P را با نام پایه ها رسم کنید.
________________________________________________________________________________________
سوال 54 - عملکرد MOSFET به عنوان کلید را با رسم شکل توضیح دهید.
________________________________________________________________________________________
سوال 55 - با رسم شکل نشان دهید به چه صورت می توان با استفاده از دو نوع EMOSFET کانال N و P یک CMOS ساخت؟
________________________________________________________________________________________
سوال 56 - تفاوت JFET و MOSFET را بنویسید.
________________________________________________________________________________________
سوال 57 - ویژگی ترانزیستور VMOSFET را بنویسید. (سه مورد)
________________________________________________________________________________________
سوال 58 - با توجه به شمای فنی زیر نام هر قطعه را نوشته و نوع آن را مشخص کنید.
نمرات درس دانش فنی تخصصی کلاس دوازدهم الکترونیک هنرستان طالقانی